SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
Osa numero
SIJ186DP-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET® Gen IV
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Tehonhäviö (maks.)
5W (Ta), 57W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 30V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 23405 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIJ186DP-T1-GE3
SIJ186DP-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIJ186DP-T1-GE3 Myynti
SIJ186DP-T1-GE3 Toimittaja
SIJ186DP-T1-GE3 Jakelija
SIJ186DP-T1-GE3 Tietotaulukko
SIJ186DP-T1-GE3 Kuvat
SIJ186DP-T1-GE3 Hinta
SIJ186DP-T1-GE3 Tarjous
SIJ186DP-T1-GE3 Alin hinta
SIJ186DP-T1-GE3 Hae
SIJ186DP-T1-GE3 Ostaminen
SIJ186DP-T1-GE3 Chip