Osta Vishay Siliconix SIJA52ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Osa numero

SIJA52ADP-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET® Gen IV

Osan tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SO-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® SO-8

Tehonhäviö (maks.)

4.8W (Ta), 48W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

40V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

41.6A (Ta), 131A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

1.63 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 20V

Vgs (max)

+20V, -16V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 30174 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Vishay Siliconix

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Vishay Siliconix

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Vishay Siliconix

SIJA52DP-T1-GE3