Osta Vishay Siliconix SIJA58DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SIJA58DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Osa numero

SIJA58DP-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET® Gen IV

Osan tila

Active

Pakkaus

Cut Tape (CT)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SO-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® SO-8

Tehonhäviö (maks.)

27.7W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

40V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 20V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (max)

+20V, -16V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 42358 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Vishay Siliconix

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Vishay Siliconix

SIJA52ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L

Vishay Siliconix

SIJA52DP-T1-GE3