SIR106DP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Osa numero
SIR106DP-T1-RE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET® Gen IV
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Tehonhäviö (maks.)
3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3610pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 42952 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIR106DP-T1-RE3
SIR106DP-T1-RE3 Elektroniset komponentit
SIR106DP-T1-RE3 Myynti
SIR106DP-T1-RE3 Toimittaja
SIR106DP-T1-RE3 Jakelija
SIR106DP-T1-RE3 Tietotaulukko
SIR106DP-T1-RE3 Kuvat
SIR106DP-T1-RE3 Hinta
SIR106DP-T1-RE3 Tarjous
SIR106DP-T1-RE3 Alin hinta
SIR106DP-T1-RE3 Hae
SIR106DP-T1-RE3 Ostaminen
SIR106DP-T1-RE3 Chip