Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
SIR167DP-T1-GE3

SIR167DP-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8
Osa numero
SIR167DP-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET® Gen III
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Tehonhäviö (maks.)
65.8W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
111nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4380pF @ 15V
Vgs (max)
±25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 35464 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta SIR167DP-T1-GE3
SIR167DP-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIR167DP-T1-GE3 Myynti
SIR167DP-T1-GE3 Toimittaja
SIR167DP-T1-GE3 Jakelija
SIR167DP-T1-GE3 Tietotaulukko
SIR167DP-T1-GE3 Kuvat
SIR167DP-T1-GE3 Hinta
SIR167DP-T1-GE3 Tarjous
SIR167DP-T1-GE3 Alin hinta
SIR167DP-T1-GE3 Hae
SIR167DP-T1-GE3 Ostaminen
SIR167DP-T1-GE3 Chip