SIRB40DP-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Osa numero
SIRB40DP-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8 Dual
Teho - Max
46.2W
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8 Dual
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4290pF @ 20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 15629 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIRB40DP-T1-GE3
SIRB40DP-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIRB40DP-T1-GE3 Myynti
SIRB40DP-T1-GE3 Toimittaja
SIRB40DP-T1-GE3 Jakelija
SIRB40DP-T1-GE3 Tietotaulukko
SIRB40DP-T1-GE3 Kuvat
SIRB40DP-T1-GE3 Hinta
SIRB40DP-T1-GE3 Tarjous
SIRB40DP-T1-GE3 Alin hinta
SIRB40DP-T1-GE3 Hae
SIRB40DP-T1-GE3 Ostaminen
SIRB40DP-T1-GE3 Chip