SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Osa numero
SIS932EDN-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® 1212-8 Dual
Teho - Max
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 17476 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIS932EDN-T1-GE3
SIS932EDN-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIS932EDN-T1-GE3 Myynti
SIS932EDN-T1-GE3 Toimittaja
SIS932EDN-T1-GE3 Jakelija
SIS932EDN-T1-GE3 Tietotaulukko
SIS932EDN-T1-GE3 Kuvat
SIS932EDN-T1-GE3 Hinta
SIS932EDN-T1-GE3 Tarjous
SIS932EDN-T1-GE3 Alin hinta
SIS932EDN-T1-GE3 Hae
SIS932EDN-T1-GE3 Ostaminen
SIS932EDN-T1-GE3 Chip