Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
SIUD403ED-T1-GE3

SIUD403ED-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806
Osa numero
SIUD403ED-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET® Gen III
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® 0806
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 0806
Tehonhäviö (maks.)
1.25W (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.25 Ohm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
1nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
31pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 51402 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta SIUD403ED-T1-GE3
SIUD403ED-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIUD403ED-T1-GE3 Myynti
SIUD403ED-T1-GE3 Toimittaja
SIUD403ED-T1-GE3 Jakelija
SIUD403ED-T1-GE3 Tietotaulukko
SIUD403ED-T1-GE3 Kuvat
SIUD403ED-T1-GE3 Hinta
SIUD403ED-T1-GE3 Tarjous
SIUD403ED-T1-GE3 Alin hinta
SIUD403ED-T1-GE3 Hae
SIUD403ED-T1-GE3 Ostaminen
SIUD403ED-T1-GE3 Chip