SIZ700DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Osa numero
SIZ700DT-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-PowerPair™
Teho - Max
2.36W, 2.8W
Toimittajan laitepaketti
6-PowerPair™
FET-tyyppi
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
16A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 19258 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIZ700DT-T1-GE3
SIZ700DT-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIZ700DT-T1-GE3 Myynti
SIZ700DT-T1-GE3 Toimittaja
SIZ700DT-T1-GE3 Jakelija
SIZ700DT-T1-GE3 Tietotaulukko
SIZ700DT-T1-GE3 Kuvat
SIZ700DT-T1-GE3 Hinta
SIZ700DT-T1-GE3 Tarjous
SIZ700DT-T1-GE3 Alin hinta
SIZ700DT-T1-GE3 Hae
SIZ700DT-T1-GE3 Ostaminen
SIZ700DT-T1-GE3 Chip