Osta Vishay Siliconix SQA403EJ-T1_GE3 MOSFET P-CHAN 30V

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

SQA403EJ-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 30V

Osa numero

SQA403EJ-T1_GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Osan tila

Active

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SC-70-6

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® SC-70-6 Single

Tehonhäviö (maks.)

13.6W (Tc)

FET-tyyppi

P-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

30V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1880pF @ 10V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 15054 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SQA401EEJ-T1_GE3