Osta Vishay Siliconix SQA410EJ-T1_GE3 MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SQA410EJ-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6

Osa numero

SQA410EJ-T1_GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Osan tila

Active

Pakkaus

Digi-Reel®

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SC-70-6

Toimittajan laitepaketti

Tehonhäviö (maks.)

13.6W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

20V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

7.8A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 10V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (max)

±8V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen chen_hx1688@hotmail.com, vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 12904 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet