SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Osa numero
SQJ500AEP-T1_GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8 Dual
Teho - Max
48W
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8 Dual
FET-tyyppi
N and P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
38.1nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1850pF @ 20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 36313 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SQJ500AEP-T1_GE3
SQJ500AEP-T1_GE3 Elektroniset komponentit
SQJ500AEP-T1_GE3 Myynti
SQJ500AEP-T1_GE3 Toimittaja
SQJ500AEP-T1_GE3 Jakelija
SQJ500AEP-T1_GE3 Tietotaulukko
SQJ500AEP-T1_GE3 Kuvat
SQJ500AEP-T1_GE3 Hinta
SQJ500AEP-T1_GE3 Tarjous
SQJ500AEP-T1_GE3 Alin hinta
SQJ500AEP-T1_GE3 Hae
SQJ500AEP-T1_GE3 Ostaminen
SQJ500AEP-T1_GE3 Chip