Osta Vishay Siliconix SQJ912BEP-T1_GE3 MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Osa numero

SQJ912BEP-T1_GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Osan tila

Active

Pakkaus

Digi-Reel®

Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SO-8 Dual

Teho - Max

48W (Tc)

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® SO-8 Dual

FET-tyyppi

2 N-Channel (Dual)

FET-ominaisuus

Standard

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

40V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 38449 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Vishay Siliconix

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Vishay Siliconix

SQJ912AEP-T1_GE3