SQJ960EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 8A
Osa numero
SQJ960EP-T1_GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8 Dual
Teho - Max
34W
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8 Dual
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
8A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
735pF @ 25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 51815 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SQJ960EP-T1_GE3
SQJ960EP-T1_GE3 Elektroniset komponentit
SQJ960EP-T1_GE3 Myynti
SQJ960EP-T1_GE3 Toimittaja
SQJ960EP-T1_GE3 Jakelija
SQJ960EP-T1_GE3 Tietotaulukko
SQJ960EP-T1_GE3 Kuvat
SQJ960EP-T1_GE3 Hinta
SQJ960EP-T1_GE3 Tarjous
SQJ960EP-T1_GE3 Alin hinta
SQJ960EP-T1_GE3 Hae
SQJ960EP-T1_GE3 Ostaminen
SQJ960EP-T1_GE3 Chip