Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
SQJ980AEP-T1_GE3

SQJ980AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
Osa numero
SQJ980AEP-T1_GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TA)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8 Dual
Teho - Max
34W (Tc)
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8 Dual
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
75V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 35V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 43543 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta SQJ980AEP-T1_GE3
SQJ980AEP-T1_GE3 Elektroniset komponentit
SQJ980AEP-T1_GE3 Myynti
SQJ980AEP-T1_GE3 Toimittaja
SQJ980AEP-T1_GE3 Jakelija
SQJ980AEP-T1_GE3 Tietotaulukko
SQJ980AEP-T1_GE3 Kuvat
SQJ980AEP-T1_GE3 Hinta
SQJ980AEP-T1_GE3 Tarjous
SQJ980AEP-T1_GE3 Alin hinta
SQJ980AEP-T1_GE3 Hae
SQJ980AEP-T1_GE3 Ostaminen
SQJ980AEP-T1_GE3 Chip