SQJA02EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
Osa numero
SQJA02EP-T1_GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Tehonhäviö (maks.)
68W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 18884 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SQJA02EP-T1_GE3
SQJA02EP-T1_GE3 Elektroniset komponentit
SQJA02EP-T1_GE3 Myynti
SQJA02EP-T1_GE3 Toimittaja
SQJA02EP-T1_GE3 Jakelija
SQJA02EP-T1_GE3 Tietotaulukko
SQJA02EP-T1_GE3 Kuvat
SQJA02EP-T1_GE3 Hinta
SQJA02EP-T1_GE3 Tarjous
SQJA02EP-T1_GE3 Alin hinta
SQJA02EP-T1_GE3 Hae
SQJA02EP-T1_GE3 Ostaminen
SQJA02EP-T1_GE3 Chip