SUM70060E-GE3
MOSFET N-CH 100V 131A D2PK TO263
Osa numero
SUM70060E-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
ThunderFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
TO-263 (D2Pak)
Tehonhäviö (maks.)
375W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
131A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3330pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 36304 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SUM70060E-GE3
SUM70060E-GE3 Elektroniset komponentit
SUM70060E-GE3 Myynti
SUM70060E-GE3 Toimittaja
SUM70060E-GE3 Jakelija
SUM70060E-GE3 Tietotaulukko
SUM70060E-GE3 Kuvat
SUM70060E-GE3 Hinta
SUM70060E-GE3 Tarjous
SUM70060E-GE3 Alin hinta
SUM70060E-GE3 Hae
SUM70060E-GE3 Ostaminen
SUM70060E-GE3 Chip