SUP45P03-09-GE3
MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB
Osa numero
SUP45P03-09-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Last Time Buy
Pakkaus
-
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220AB
Tehonhäviö (maks.)
73.5W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 53527 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SUP45P03-09-GE3
SUP45P03-09-GE3 Elektroniset komponentit
SUP45P03-09-GE3 Myynti
SUP45P03-09-GE3 Toimittaja
SUP45P03-09-GE3 Jakelija
SUP45P03-09-GE3 Tietotaulukko
SUP45P03-09-GE3 Kuvat
SUP45P03-09-GE3 Hinta
SUP45P03-09-GE3 Tarjous
SUP45P03-09-GE3 Alin hinta
SUP45P03-09-GE3 Hae
SUP45P03-09-GE3 Ostaminen
SUP45P03-09-GE3 Chip