Osta AGM-Semi (core control source) AGM206MAP N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

AGM-Semi (core control source)

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

AGM206MAP

N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

Osa numero

AGM206MAP

Kategoria

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Valmistaja/merkki

AGM-Semi (core control source)

Kapselointi

PDFN3x3

Pakkaus

taping

Pakettien määrä

5000

Kuvaus

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A Power (Pd): 3.0W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@4.5V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.31nF@10V ,Vds =20V Id=25A Rds=4.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 96912 PCS

Yhteystiedot