AGM-Semi (core control source)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
AGM210MAP N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

AGM210MAP

N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ
Osa numero
AGM210MAP
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Valmistaja/merkki
AGM-Semi (core control source)
Kapselointi
DFN3.3x3.3
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
5000
Kuvaus
Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 54280 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta AGM210MAP
AGM210MAP Elektroniset komponentit
AGM210MAP Myynti
AGM210MAP Toimittaja
AGM210MAP Jakelija
AGM210MAP Tietotaulukko
AGM210MAP Kuvat
AGM210MAP Hinta
AGM210MAP Tarjous
AGM210MAP Alin hinta
AGM210MAP Hae
AGM210MAP Ostaminen
AGM210MAP Chip