VBsemi (Wei Bi)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
NTMS4176PR2G-VB
P-channel 30V 9A
Osa numero
NTMS4176PR2G-VB
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Valmistaja/merkki
VBsemi (Wei Bi)
Kapselointi
SOIC-8
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
4000
Kuvaus
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 77733 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
P-Channel 20V 8.8A Single P-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET, -20V, -10A, 14mΩ
onsemi (Ansemi)
P-Channel 30V 6.6A Power MOSFET -30V -11.4A 19 mΩ Single P-Channel SO-8
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 3.95A Single P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
Avainsanat aiheesta NTMS4176PR2G-VB
NTMS4176PR2G-VB Elektroniset komponentit
NTMS4176PR2G-VB Myynti
NTMS4176PR2G-VB Toimittaja
NTMS4176PR2G-VB Jakelija
NTMS4176PR2G-VB Tietotaulukko
NTMS4176PR2G-VB Kuvat
NTMS4176PR2G-VB Hinta
NTMS4176PR2G-VB Tarjous
NTMS4176PR2G-VB Alin hinta
NTMS4176PR2G-VB Hae
NTMS4176PR2G-VB Ostaminen
NTMS4176PR2G-VB Chip