VBsemi (Wei Bi)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
NTMS4177PR2G-VB
NTMS4177PR2G-VB
Osa numero
NTMS4177PR2G-VB
Kategoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Valmistaja/merkki
VBsemi (Wei Bi)
Kapselointi
SOP8
Pakkaus
taping
Pakettien määrä
4000
Kuvaus
P-channel, -30V, -11A, RDS(ON), 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); -1.42Vth(V); SOP8
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 99613 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
P-Channel 20V 8.8A Single P-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET, -20V, -10A, 14mΩ
onsemi (Ansemi)
P-Channel 30V 6.6A Power MOSFET -30V -11.4A 19 mΩ Single P-Channel SO-8
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 3.95A Single P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
Avainsanat aiheesta NTMS4177PR2G-VB
NTMS4177PR2G-VB Elektroniset komponentit
NTMS4177PR2G-VB Myynti
NTMS4177PR2G-VB Toimittaja
NTMS4177PR2G-VB Jakelija
NTMS4177PR2G-VB Tietotaulukko
NTMS4177PR2G-VB Kuvat
NTMS4177PR2G-VB Hinta
NTMS4177PR2G-VB Tarjous
NTMS4177PR2G-VB Alin hinta
NTMS4177PR2G-VB Hae
NTMS4177PR2G-VB Ostaminen
NTMS4177PR2G-VB Chip