onsemi (Ansemi)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
NXH100B120H3Q0PTG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Osa numero
NXH100B120H3Q0PTG
Kategoria
Power IC > Power Module
Valmistaja/merkki
onsemi (Ansemi)
Kapselointi
-
Pakkaus
tray
Pakettien määrä
24
Kuvaus
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 66448 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Avainsanat aiheesta NXH100B120H3Q0PTG
NXH100B120H3Q0PTG Elektroniset komponentit
NXH100B120H3Q0PTG Myynti
NXH100B120H3Q0PTG Toimittaja
NXH100B120H3Q0PTG Jakelija
NXH100B120H3Q0PTG Tietotaulukko
NXH100B120H3Q0PTG Kuvat
NXH100B120H3Q0PTG Hinta
NXH100B120H3Q0PTG Tarjous
NXH100B120H3Q0PTG Alin hinta
NXH100B120H3Q0PTG Hae
NXH100B120H3Q0PTG Ostaminen
NXH100B120H3Q0PTG Chip