onsemi (Ansemi)
Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Osa numero
NXH100B120H3Q0STG
Kategoria
Power IC > Power Module
Valmistaja/merkki
onsemi (Ansemi)
Kapselointi
-
Pakkaus
tray
Pakettien määrä
24
Kuvaus
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 80099 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Avainsanat aiheesta NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Elektroniset komponentit
NXH100B120H3Q0STG Myynti
NXH100B120H3Q0STG Toimittaja
NXH100B120H3Q0STG Jakelija
NXH100B120H3Q0STG Tietotaulukko
NXH100B120H3Q0STG Kuvat
NXH100B120H3Q0STG Hinta
NXH100B120H3Q0STG Tarjous
NXH100B120H3Q0STG Alin hinta
NXH100B120H3Q0STG Hae
NXH100B120H3Q0STG Ostaminen
NXH100B120H3Q0STG Chip