Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
BUZ30A E3045A
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
Osa numero
BUZ30A E3045A
Valmistaja/merkki
Sarja
SIPMOS®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK (TO-263AB)
Tehonhäviö (maks.)
125W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 23557 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BUZ30A E3045A
BUZ30A E3045A Elektroniset komponentit
BUZ30A E3045A Myynti
BUZ30A E3045A Toimittaja
BUZ30A E3045A Jakelija
BUZ30A E3045A Tietotaulukko
BUZ30A E3045A Kuvat
BUZ30A E3045A Hinta
BUZ30A E3045A Tarjous
BUZ30A E3045A Alin hinta
BUZ30A E3045A Hae
BUZ30A E3045A Ostaminen
BUZ30A E3045A Chip