BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
Osa numero
BUZ30AH3045AATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
SIPMOS®
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK (TO-263AB)
Tehonhäviö (maks.)
125W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 42219 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta BUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AH3045AATMA1 Elektroniset komponentit
BUZ30AH3045AATMA1 Myynti
BUZ30AH3045AATMA1 Toimittaja
BUZ30AH3045AATMA1 Jakelija
BUZ30AH3045AATMA1 Tietotaulukko
BUZ30AH3045AATMA1 Kuvat
BUZ30AH3045AATMA1 Hinta
BUZ30AH3045AATMA1 Tarjous
BUZ30AH3045AATMA1 Alin hinta
BUZ30AH3045AATMA1 Hae
BUZ30AH3045AATMA1 Ostaminen
BUZ30AH3045AATMA1 Chip