IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Osa numero
IPB009N03LGATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-7-3
Tehonhäviö (maks.)
250W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
227nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
25000pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 17602 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB009N03LGATMA1
IPB009N03LGATMA1 Elektroniset komponentit
IPB009N03LGATMA1 Myynti
IPB009N03LGATMA1 Toimittaja
IPB009N03LGATMA1 Jakelija
IPB009N03LGATMA1 Tietotaulukko
IPB009N03LGATMA1 Kuvat
IPB009N03LGATMA1 Hinta
IPB009N03LGATMA1 Tarjous
IPB009N03LGATMA1 Alin hinta
IPB009N03LGATMA1 Hae
IPB009N03LGATMA1 Ostaminen
IPB009N03LGATMA1 Chip