IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Osa numero
IPB011N04LGATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-7-3
Tehonhäviö (maks.)
250W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 200µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
346nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
29000pF @ 20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 32116 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB011N04LGATMA1
IPB011N04LGATMA1 Elektroniset komponentit
IPB011N04LGATMA1 Myynti
IPB011N04LGATMA1 Toimittaja
IPB011N04LGATMA1 Jakelija
IPB011N04LGATMA1 Tietotaulukko
IPB011N04LGATMA1 Kuvat
IPB011N04LGATMA1 Hinta
IPB011N04LGATMA1 Tarjous
IPB011N04LGATMA1 Alin hinta
IPB011N04LGATMA1 Hae
IPB011N04LGATMA1 Ostaminen
IPB011N04LGATMA1 Chip