IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
Osa numero
IPB45N04S4L08ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Tehonhäviö (maks.)
45W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
7.6 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 17µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2340pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
+20V, -16V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 28365 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB45N04S4L08ATMA1
IPB45N04S4L08ATMA1 Elektroniset komponentit
IPB45N04S4L08ATMA1 Myynti
IPB45N04S4L08ATMA1 Toimittaja
IPB45N04S4L08ATMA1 Jakelija
IPB45N04S4L08ATMA1 Tietotaulukko
IPB45N04S4L08ATMA1 Kuvat
IPB45N04S4L08ATMA1 Hinta
IPB45N04S4L08ATMA1 Tarjous
IPB45N04S4L08ATMA1 Alin hinta
IPB45N04S4L08ATMA1 Hae
IPB45N04S4L08ATMA1 Ostaminen
IPB45N04S4L08ATMA1 Chip