IPB45N06S3-16
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
Osa numero
IPB45N06S3-16
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
PG-TO263-3-2
Tehonhäviö (maks.)
65W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
15.4 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 30µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2980pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 22424 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPB45N06S3-16
IPB45N06S3-16 Elektroniset komponentit
IPB45N06S3-16 Myynti
IPB45N06S3-16 Toimittaja
IPB45N06S3-16 Jakelija
IPB45N06S3-16 Tietotaulukko
IPB45N06S3-16 Kuvat
IPB45N06S3-16 Hinta
IPB45N06S3-16 Tarjous
IPB45N06S3-16 Alin hinta
IPB45N06S3-16 Hae
IPB45N06S3-16 Ostaminen
IPB45N06S3-16 Chip