IPI020N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
Osa numero
IPI020N06NAKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Bulk
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3
Tehonhäviö (maks.)
3W (Ta), 214W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
29A (Ta), 120A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 143µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
106nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7800pF @ 30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29957 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPI020N06NAKSA1
IPI020N06NAKSA1 Elektroniset komponentit
IPI020N06NAKSA1 Myynti
IPI020N06NAKSA1 Toimittaja
IPI020N06NAKSA1 Jakelija
IPI020N06NAKSA1 Tietotaulukko
IPI020N06NAKSA1 Kuvat
IPI020N06NAKSA1 Hinta
IPI020N06NAKSA1 Tarjous
IPI020N06NAKSA1 Alin hinta
IPI020N06NAKSA1 Hae
IPI020N06NAKSA1 Ostaminen
IPI020N06NAKSA1 Chip