Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Osa numero
IPI023NE7N3 G
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
75V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 37.5V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (max)
-
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 13964 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPI023NE7N3 G
IPI023NE7N3 G Elektroniset komponentit
IPI023NE7N3 G Myynti
IPI023NE7N3 G Toimittaja
IPI023NE7N3 G Jakelija
IPI023NE7N3 G Tietotaulukko
IPI023NE7N3 G Kuvat
IPI023NE7N3 G Hinta
IPI023NE7N3 G Tarjous
IPI023NE7N3 G Alin hinta
IPI023NE7N3 G Hae
IPI023NE7N3 G Ostaminen
IPI023NE7N3 G Chip