IPI070N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Osa numero
IPI070N06N G
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3
Tehonhäviö (maks.)
250W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 180µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 6822 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPI070N06N G
IPI070N06N G Elektroniset komponentit
IPI070N06N G Myynti
IPI070N06N G Toimittaja
IPI070N06N G Jakelija
IPI070N06N G Tietotaulukko
IPI070N06N G Kuvat
IPI070N06N G Hinta
IPI070N06N G Tarjous
IPI070N06N G Alin hinta
IPI070N06N G Hae
IPI070N06N G Ostaminen
IPI070N06N G Chip