IRLL014NPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Osa numero
IRLL014NPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Not For New Designs
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Toimittajan laitepaketti
SOT-223
Tehonhäviö (maks.)
1W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Vgs (max)
±16V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 5496 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLL014NPBF
IRLL014NPBF Elektroniset komponentit
IRLL014NPBF Myynti
IRLL014NPBF Toimittaja
IRLL014NPBF Jakelija
IRLL014NPBF Tietotaulukko
IRLL014NPBF Kuvat
IRLL014NPBF Hinta
IRLL014NPBF Tarjous
IRLL014NPBF Alin hinta
IRLL014NPBF Hae
IRLL014NPBF Ostaminen
IRLL014NPBF Chip