IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Osa numero
IRLL014NTRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Toimittajan laitepaketti
SOT-223
Tehonhäviö (maks.)
1W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Vgs (max)
±16V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 32665 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF Elektroniset komponentit
IRLL014NTRPBF Myynti
IRLL014NTRPBF Toimittaja
IRLL014NTRPBF Jakelija
IRLL014NTRPBF Tietotaulukko
IRLL014NTRPBF Kuvat
IRLL014NTRPBF Hinta
IRLL014NTRPBF Tarjous
IRLL014NTRPBF Alin hinta
IRLL014NTRPBF Hae
IRLL014NTRPBF Ostaminen
IRLL014NTRPBF Chip