TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Osa numero
TPH2900ENH,L1Q
Valmistaja/merkki
Sarja
U-MOSVIII-H
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerVDFN
Toimittajan laitepaketti
8-SOP Advance (5x5)
Tehonhäviö (maks.)
78W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 19342 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta TPH2900ENH,L1Q
TPH2900ENH,L1Q Elektroniset komponentit
TPH2900ENH,L1Q Myynti
TPH2900ENH,L1Q Toimittaja
TPH2900ENH,L1Q Jakelija
TPH2900ENH,L1Q Tietotaulukko
TPH2900ENH,L1Q Kuvat
TPH2900ENH,L1Q Hinta
TPH2900ENH,L1Q Tarjous
TPH2900ENH,L1Q Alin hinta
TPH2900ENH,L1Q Hae
TPH2900ENH,L1Q Ostaminen
TPH2900ENH,L1Q Chip