Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
Osa numero
TPH2R306NH,L1Q
Sarja
U-MOSVIII-H
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerVDFN
Toimittajan laitepaketti
8-SOP Advance (5x5)
Tehonhäviö (maks.)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
6100pF @ 30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 42166 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta TPH2R306NH,L1Q
TPH2R306NH,L1Q Elektroniset komponentit
TPH2R306NH,L1Q Myynti
TPH2R306NH,L1Q Toimittaja
TPH2R306NH,L1Q Jakelija
TPH2R306NH,L1Q Tietotaulukko
TPH2R306NH,L1Q Kuvat
TPH2R306NH,L1Q Hinta
TPH2R306NH,L1Q Tarjous
TPH2R306NH,L1Q Alin hinta
TPH2R306NH,L1Q Hae
TPH2R306NH,L1Q Ostaminen
TPH2R306NH,L1Q Chip