IRLL110PBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Osa numero
IRLL110PBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Toimittajan laitepaketti
SOT-223
Tehonhäviö (maks.)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 900mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 15413 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLL110PBF
IRLL110PBF Elektroniset komponentit
IRLL110PBF Myynti
IRLL110PBF Toimittaja
IRLL110PBF Jakelija
IRLL110PBF Tietotaulukko
IRLL110PBF Kuvat
IRLL110PBF Hinta
IRLL110PBF Tarjous
IRLL110PBF Alin hinta
IRLL110PBF Hae
IRLL110PBF Ostaminen
IRLL110PBF Chip